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2023 - 02 - 01
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2023 - 02 - 01
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2025 - 04 - 15
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发布时间: 2025 - 04 - 15
能测很多半导体分立器件功率器件静态参数以及IV曲线扫描。如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs,Diodes,MOSFETs,HEMT,BJTs,SCRs,光耦,继电器,稳压器......可以外接夹具、工装、探针台、分选机、编带机、机械手、高压源1400V(选配2KV/3.5KV/6.5KV),高流源40A(选配100A,200A,500A,1500A)栅极电压电流20V(选配40V/100V)分辨率最高至1.5uV/1.5pA/100fA,精度最高可至0.1%。
发布时间: 2025 - 04 - 15
光耦测试仪可测试各类光耦。高低温实时在线测试解决方案,包括隔离数字光耦、高速光耦、线性光耦等、模拟光耦、光电逻辑、光电开关等所有光耦类器件。测试参数包括VF、IF、VR、IR、CTR、VCE(sat)、Ron、Ioff、ITH、V(BR)CEO、V(BR)ECO、ICEO、Tr、Tf、ton、toff、tpLH、tpHL、tELH、tEHL、ICCL、ICCH、VEL、VEH、IEH、IEL、VOH、VOL、IOH、IOL、UVLO+、UVLO-、IFLH、VFHL、BW。
发布时间: 2025 - 04 - 15
是一款主要面向“单管级器件”用户服务的测试设备,可实现对Si基(选配SiC/GaN)材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT 的多种动态参数的精确测试,测试原理符合国军标。测试项目包括开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延 迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路等等。通过更换不同个性单元(简称 DUT)以达到对应的测试项目,通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、读取保存测试结果。系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
发布时间: 2025 - 04 - 15
系列主要用于 IGBT/DIODE /MOSFET 等器件的静态参数(ICES +VTH +IGES +VF +VCEsat +V(BR)CES+GFS+KELVIN)测试,测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。
发布时间: 2025 - 04 - 15
系列产品是一款全自动动态特性测试设备。主要用于IGBT/DIODE /MOSFET 等器件的双脉冲(包含开通特性、关断特性测试、反向恢复特性测试)
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